A method for forming shallow trench isolation that can avoid dishing effect produced by a conventional manufacturing process. The method utilizes photolithographic and etching techniques to define a dummy pattern inside a shallow trenches having a deposited dielectric layer, and then through the deposition of a second dielectric layer, followed by a planarization using a chemical-mechanical polishing method, a shallow trench isolation having a good planar surface is obtained.

Un método para formar el aislamiento bajo del foso que puede evitar de servir efecto produjo por un proceso de fabricación convencional. El método utiliza las técnicas photolithographic y de la aguafuerte para definir un patrón simulado dentro de los fosos bajos que tienen una capa dieléctrica depositada, y entonces con la deposición de una segunda capa dieléctrica, seguida por un planarization usando un método que pule producto-meca'nico, un aislamiento bajo del foso que tiene una buena superficie planar se obtiene.