A wafer planarization process which utilizes combined high density plasma chemical vapor deposition (HDP-CVD) process and chemical mechanical polishing (CMP) process is disclosed. This process includes the steps of (a) forming a first HDP-CVD layer on the surface of a semiconductor wafer using a first HDP-CVD composition having a higher etching/depositing component ratio and thus a lower CMP removal rate; (b) forming a second HDP-CVD layer on the first HDP-CVD layer using the same HDP-CVD process but with a second HDP-CVD composition having a highest etching/depositing component ratio and thus the lowest CMP removal rate; (c) forming a third HDP-CVD layer on the second HDP-CVD layer using the same HDP-CVD process but with a third HDP-CVD composition having a low etching/depositing component ratio and thus a high CMP removal rate; and (d) using a chemical mechanical process to remove at least a part of the third HDP-CVD layer using the second HDP-CVD layer as a stopper. All the three HDP-CVD compositions contain the same etching and silicon-containing deposition components so as to improve the CMP efficiency without incurring substantially increased fabrication cost.

Un processus de planarization de gaufrette qui utilise le procédé à haute densité combiné de la déposition en phase vapeur de plasma (HDP-CVD) et le processus (CMP) de polissage mécanique chimique est révélé. Ce processus inclut les étapes (a) formant d'une première couche de HDP-CVD sur la surface d'une gaufrette de semi-conducteur en utilisant une première composition en HDP-CVD ayant un rapport composant plus élevé etching/depositing et ainsi un taux inférieur de déplacement de CMP ; (b) formant une deuxième couche de HDP-CVD sur la première couche de HDP-CVD en utilisant le même processus de HDP-CVD mais avec une deuxième composition en HDP-CVD ayant un rapport composant etching/depositing le plus élevé et ainsi le plus bas taux de déplacement de CMP ; (c) formant une troisième couche de HDP-CVD sur la deuxième couche de HDP-CVD en utilisant le même processus de HDP-CVD mais avec une troisième composition en HDP-CVD ayant un bas rapport composant etching/depositing et ainsi un taux élevé de déplacement de CMP ; et (d) en utilisant un processus mécanique chimique pour enlever au moins une partie de la troisième couche de HDP-CVD en utilisant la deuxième couche de HDP-CVD comme taquet. Toutes les trois compositions en HDP-CVD contiennent même gravure à l'eau-forte et silicium-contenir des composants de dépôt afin d'améliorer l'efficacité de CMP sans encourir le coût sensiblement accru de fabrication.