The present invention is related to a method of fabricating borderless metal to contact structure. A dielectric layer is deposited on the silicon semiconductor wafer. The first photoresist pattern is formed by the conventional lithography technique. Then, the dielectric layer is partially etched to formed the first trench and second trench. The first trench is used as a contact hole, while the second trench is for second metal interconnection line. Thereafter, the second photoresist pattern which is only exposing the first trench region is formed. By using the second photoresist pattern as an etching mask, the dielectric layer is etched through to form the contact which is the place for the first metal line and second metal line to be electrically contacted. After the first and second photoresist patterns are stripped, the second metal layer is deposited to fill into the contact and the second trench as second metal interconnection lines. Finally, the second metal layer and a portion of the second dielectric layer are polished by chemical mechanical polishing (CMP) technique to planarize the wafer surface. A borderless metal to contact structure according to the present invention is achieved.

Η παρούσα εφεύρεση συσχετίζεται με μια μέθοδο το χωρίς σύνορα μέταλλο για να έρθει σε επαφή με τη δομή. Ένα διηλεκτρικό στρώμα κατατίθεται στην γκοφρέτα ημιαγωγών πυριτίου. Το πρώτο photoresist σχέδιο διαμορφώνεται από τη συμβατική τεχνική λιθογραφίας. Κατόπιν, το διηλεκτρικό στρώμα χαράζεται μερικώς διαμόρφωσε την πρώτη τάφρο και τη δεύτερη τάφρο. Η πρώτη τάφρος χρησιμοποιείται ως τρύπα επαφών, ενώ η δεύτερη τάφρος είναι για τη δεύτερη γραμμή διασύνδεσης μετάλλων. Έκτοτε, το δεύτερο photoresist σχέδιο που εκθέτει μόνο την πρώτη περιοχή τάφρων διαμορφώνεται. Με τη χρησιμοποίηση του δεύτερου photoresist σχεδίου ως μάσκα χαρακτικής, το διηλεκτρικό στρώμα χαράζεται κατευθείαν για να διαμορφώσει την επαφή που είναι η θέση για την πρώτη γραμμή μετάλλων και δεύτερη γραμμή μετάλλων ηλεκτρικά που έρχεται σε επαφή με. Αφότου γδύνονται τα πρώτα και δεύτερα photoresist σχέδια, το δεύτερο στρώμα μετάλλων κατατίθεται για να γεμίσει στην επαφή και τη δεύτερη τάφρο ως δεύτερες γραμμές διασύνδεσης μετάλλων. Τέλος, το δεύτερο στρώμα μετάλλων και μια μερίδα του δεύτερου διηλεκτρικού στρώματος γυαλίζονται από τη χημική μηχανική τεχνική στίλβωσης (CMP) η επιφάνεια γκοφρετών. Ένα χωρίς σύνορα μέταλλο για να έρθει σε επαφή με τη δομή σύμφωνα με την παρούσα εφεύρεση επιτυγχάνεται.