A metal-semiconductor layer (26) is formed over an insulating layer (20) such that the metal-semiconductor layer (26) is graded to have varying amounts of the semiconductor and metal throughout the layer. In one embodiment, the metal-semiconductor layer (26) has relatively higher silicon content near the layer's lower and upper surfaces. At the midpoint, the layer is close to stoichiometric tungsten silicide. In another embodiment, a metal-semiconductor-nitrogen layer is formed having nitrogen nearer the lower surface and essentially no nitrogen near the upper surface. The layer (26) can be formed using chemical vapor deposition or sputtering.

Eine Metall-Halbleiter Schicht (26) ist gebildeter Überschuß ein Isolierschicht (20) so, daß die Metall-Halbleiter Schicht (26) geordnet wird, um unterschiedliche Mengen des Halbleiters und des Metalls während der Schicht zu haben. In einer Verkörperung hat die Metall-Halbleiter Schicht (26) verhältnismäßig höheren Silikoninhalt nahe den untereren und Oberflächen der Schicht. Am Mittelpunkt ist die Schicht nah an stöchiometrischem Wolframsilicide. In einer anderen Verkörperung wird eine Metall-Halbleiter-Stickstoff Schicht gebildet, Stickstoff nahe die Unterseite und im Wesentlichen keinen Stickstoff nahe der Oberfläche habend. Die Schicht (26) kann mit Absetzung des chemischen Dampfes gebildet werden oder spritzend.