A silicon semiconductor device has at least one contact plug of chemical-vapor-deposited aluminum to a lower-level titanium contact provided with a titanium nitride layer that is a barrier both to the migration of aluminum and to the migration of silicon layer, but is treated so as to be smooth and titanium-rich on the surface thereof on which aluminum is chemical-vapor-deposited, so the chemical-vapor-deposited aluminum in the contact plug is homogeneously grown and free of voids therein. The silicon semiconductor device may additionally include trenches for buried aluminium wiring in the same insulating layer through which the contact hole for each contact plug extends. The preferred methods of manufacturing the device include electron-cyclotron-resonance etching, to smooth the surface of the side walls and bottoms of each contact hole and buried-aluminium-wiring trench, and to render the exposed surface titanium nitride layer titanium-rich.

Un dispositivo de semiconductor del silicio tiene por lo menos un enchufe del contacto de aluminio producto-vapor-depositado a un contacto titanium de nivel inferior proporcionado una capa titanium del nitruro que sea una barrera a la migración del aluminio y a la migración de la capa del silicio, pero se trata para ser liso y titanio-rico en la superficie de eso en producto-vapor-se deposita qué aluminio, así que el aluminio producto-vapor-depositado en el enchufe del contacto esté crecido homogéneo y libre de vacíos en esto. El dispositivo de semiconductor del silicio puede incluir además los fosos para el cableado enterrado del aluminio en la misma capa de aislamiento con la cual el agujero del contacto para cada enchufe del contacto extiende. Los métodos preferidos de fabricar el dispositivo incluyen la aguafuerte de la electro'n-ciclotro'n-resonancia, para alisar la superficie de las paredes laterales y de los fondos de cada foso del agujero y del enterrar-aluminio-cableado del contacto, y para hacer la capa titanium superficial expuesta del nitruro titanio-rica.