An amorphous fluorinated carbon film for use as a dielectric insulating layer in electrical devices is formed from a fluorinated cyclic hydrocarbon precursor. The precursor may be selected from the group consisting of hexafluorobenzene, 1,2-diethynyltetrafluorobenzene and 1,4-bis(trifluoromethyl) benzene. The film is deposited by a radiation or beam assisted deposition technique such as an ion beam assisted deposition method, a laser assisted deposition method, or a plasma assisted chemical vapor deposition method. The film is thermally stable in non-oxidizing environment at temperatures up to 400.degree. C. and has a low dielectric constant of less than 3.0. The film can be suitably used as an insulator for spacing apart conductors in an interconnect structure.

Ein formloser fluorierter Carbonfilm für Gebrauch als dielektrische Isolierschicht in den elektrischen Vorrichtungen wird von einem fluorierten zyklischen Kohlenwasserstoffvorläufer gebildet. Der Vorläufer kann von der Gruppe vorgewählt werden, die aus Hexafluorobenzol, 1,2-diethynyltetrafluorobenzene und 1,4-bis(trifluoromethyl) Benzol besteht. Der Film wird durch eine Strahlung oder Lichtstrahl unterstützte eine Absetzungtechnik wie eine unterstützte Absetzungmethode des Ionenlichtstrahls, eine Laser unterstützte Absetzungmethode oder eine Plasma unterstützte Absetzungmethode des chemischen Dampfes niedergelegt. Der Film ist thermisch Stall in nicht-oxidierendem Klima bei den Temperaturen bis zu 400.degree. C. und hat eine niedrige Dielektrizitätskonstante von weniger als 3.0. Der Film kann als Isolierung für den Abstand der getrenntleiter in einer Verknüpfung Struktur passend benutzt werden.