A thin film transistor (TFT) device structure based on an organic semiconductor material, that exhibits a high field effect mobility, high current modulation and a low sub-threshold slope at lower operating voltages than the current state of the art organic TFT devices. A fabrication process for the same, especially a process for deposition of the gate insulator using chemical solutions. The structure comprises a suitable substrate disposed with the following sequence of features: a set of conducting gate electrodes covered with a high dielectric constant insulator, a layer of the organic semiconductor, sets of electrically conducting source and drain electrodes corresponding to each of the gate lines, and an optional passivation layer that can overcoat and protect the device structure. Use of high dielectric constant gate insulators exploits the unexpected gate voltage dependence of the organic semiconductor to achieve high field effect mobility levels at very low operating voltages. Judicious combinations of the choice of this insulator material and the means to integrate it into the TFT structure are taught that would enable easy fabrication on glass or plastic substrates and the use of such devices in flat panel display applications.

Una struttura del dispositivo del transistore della pellicola sottile (TFT) basata su un materiale organico a semiconduttore, quel esposizioni un'alta mobilità di effetto del campo, alta modulazione corrente e un pendio sub-threshold basso alle tensioni più basse di funzionamento che la corrente dichiara dei dispositivi organici di arte TFT. Un processo per lo stesso, particolarmente un procedimento di montaggio per deposito dell'isolante del cancello usando le soluzioni chimiche. La struttura contiene un substrato adatto disposto di con la seguente sequenza delle caratteristiche: un insieme degli elettrodi di cancello di condotta coperti di alto isolante di costante dielettrico, di strato del semiconduttore organico, di insiemi degli elettrodi elettricamente di condotta dello scolo e di fonte che corrispondono a ciascuna delle linee del cancello e di strato facoltativo di passività che può ricoprire e protegge la struttura del dispositivo. L'uso di alti isolanti del cancello di costante dielettrico sfrutta la dipendenza inattesa di tensione del cancello del semiconduttore organico per realizzare i livelli elevati di mobilità di effetto del campo alle tensioni molto basse di funzionamento. Le combinazioni giudiziose della scelta di questo materiale dell'isolante ed i mezzi per integrarla nella struttura di TFT sono insegnati che permetterebbe il montaggio facile sui substrati di vetro o di plastica e l'uso di tali dispositivi nelle applicazioni della visualizzazione a schermo piatto.