A wafer planarization process which utilizes combined high density plasma chemical vapor deposition (HDP-CVD) process and chemical mechanical polishing (CMP) process is disclosed. This process includes the steps of (a) forming a first HDP-CVD layer on the surface of a semiconductor wafer using a first HDP-CVD composition having a higher etching/depositing component ratio and thus a lower CMP removal rate; (b) forming a second HDP-CVD layer on the first HDP-CVD layer using the same HDP-CVD process but with a second HDP-CVD composition having a highest etching/depositing component ratio and thus the lowest CMP removal rate; (c) forming a third HDP-CVD layer on the second HDP-CVD layer using the same HDP-CVD process but with a third HDP-CVD composition having a low etching/depositing component ratio and thus a high CMP removal rate; and (d) using a chemical mechanical process to remove at least a part of the third HDP-CVD layer using the second HDP-CVD layer as a stopper. All the three HDP-CVD compositions contain the same etching and silicon-containing deposition components so as to improve the CMP efficiency without incurring substantially increased fabrication cost.

Μια διαδικασία planarization γκοφρετών που χρησιμοποιεί τη συνδυασμένη διαδικασία απόθεσης χημικού ατμού πλάσματος υψηλής πυκνότητας (χδπ-θβδ) και τη χημική μηχανική διαδικασία στίλβωσης (CMP) αποκαλύπτεται. Αυτή η διαδικασία περιλαμβάνει τα βήματα (α) διαμορφώνοντας ενός πρώτου στρώματος χδπ-θβδ στην επιφάνεια μιας γκοφρέτας ημιαγωγών χρησιμοποιώντας μια πρώτη σύνθεση χδπ-θβδ που έχει μια υψηλότερη αναλογία χαρακτικής/τμήμα κατάθεσης και έτσι ένα χαμηλότερο ποσοστό αφαίρεσης CMP (β) διαμορφώνοντας ένα δεύτερο στρώμα χδπ-θβδ στο πρώτο στρώμα χδπ-θβδ που χρησιμοποιεί την ίδια διαδικασία χδπ-θβδ αλλά με μια δεύτερη σύνθεση χδπ-θβδ που έχει μια υψηλότερη αναλογία χαρακτικής/τμήμα κατάθεσης και έτσι το χαμηλότερο ποσοστό αφαίρεσης CMP (γ) διαμορφώνοντας ένα τρίτο στρώμα χδπ-θβδ στο δεύτερο στρώμα χδπ-θβδ που χρησιμοποιεί την ίδια διαδικασία χδπ-θβδ αλλά με μια τρίτη σύνθεση χδπ-θβδ που έχει μια χαμηλή αναλογία χαρακτικής/τμήμα κατάθεσης και έτσι ένα υψηλό ποσοστό αφαίρεσης CMP και (δ) χρησιμοποιώντας μια χημική μηχανική διαδικασία για να αφαιρέσει τουλάχιστον ένα μέρος του τρίτου στρώματος χδπ-θβδ που χρησιμοποιεί το δεύτερο στρώμα χδπ-θβδ ως πώμα. Όλες οι τρεις συνθέσεις χδπ-θβδ περιέχουν τα ίδια χαράζοντας και πυρίτιο-περιέχοντας τμήματα απόθεσης ώστε να βελτιωθεί η αποδοτικότητα CMP χωρίς ανάληψη του αισθητά αυξανόμενου κόστους επεξεργασίας.