A CMOS integrated circuit is tested by creating a database in which types of CMOS functional units of the integrated circuit are mapped to values of quiescent power supply currents which would flow through the functional units corresponding to all possible internal states of the integrated circuit. A test pattern is applied to a simulation model of the functional units of the integrated circuits and an output is detected therefrom. Corresponding to the output of the simulation model, values of the quiescent power supply currents are read from the database and a decision threshold is derived from a total sum of the read values. A power supply current of the integrated circuit is then measured while subjecting it to the test pattern and the measured current is compared with the decision threshold to produce a test result of the integrated circuit.

Un circuito integrado del Cmos es probado creando una base de datos en la cual los tipos de unidades funcionales del Cmos del circuito integrado traz a los valores de las corrientes quietas de la fuente de alimentación que atravesarían las unidades funcionales que corresponden a todos los estados internos posibles del circuito integrado. Un patrón de prueba se aplica a un modelo de la simulación de las unidades funcionales de los circuitos integrados y una salida se detecta therefrom. Correspondiendo a la salida del modelo de la simulación, los valores de las corrientes quietas de la fuente de alimentación se leen en la base de datos y un umbral de la decisión se deriva de una suma total de los valores leídos. Una corriente de la fuente de alimentación del circuito integrado entonces se mide mientras que sujetarlo al patrón de prueba y a la corriente medida se compara con el umbral de la decisión al producto un resultado de la prueba del circuito integrado.