A circuit for driving a power transistor in pulse mode, particularly
adapted for use in a defibrillator. The gate of the power transistor is
connected to the drain of a depletion mode transistor so no charge can
build up at the gate of the power transistor when the depletion mode
transistor is in its normal, conducting state. An electrical path is
provided which allows current to flow, in response to a control signal, so
that negative charge builds up at the gate of the depletion mode
transistor, causing it to switch off (non-conducting), at which point the
same current flow begins to charge the gate of the power transistor,
switching it on. When the current flow is reversed, the gate of the
depletion mode transistor is discharged and it switches back on, causing
the gate of the power transistor to also discharge and turn the power
transistor off. The various components are selected such that leakage
current is less than 1 .mu.a with the resulting power pulse lasting about
25 ms. The power transistor is preferably a MOSFET or IGBT, and the
depletion mode transistor is preferably a MOSFET or a JFET.
Um circuito para dirigir um transistor de poder na modalidade do pulso, adaptado particularmente para o uso em um defibrillator. A porta do transistor de poder é conectada ao dreno de um transistor da modalidade de depletion assim que nenhuma carga pode construir acima na porta do transistor de poder quando o transistor da modalidade de depletion está em seu estado normal, conduzindo. Um trajeto elétrico é fornecido de que permita que a corrente flua, em resposta a um sinal de controle, de modo que a carga negativa construa acima na porta do transistor da modalidade de depletion, causando a ao interruptor fora (não condutor), que no ponto o mesmo fluxo atual começa a carregar a porta do transistor de poder, comutando o em. Quando o fluxo atual é invertido, a porta do transistor da modalidade de depletion está descarregada e comuta para trás sobre, fazendo com que a porta do transistor de poder também descarregue e desligue o transistor de poder. Os vários componentes são selecionados tais que a corrente do escapamento é menos de 1 mu.a com o pulso resultante do poder que dura o ms aproximadamente 25. O transistor de poder é preferivelmente um MOSFET ou um IGBT, e o transistor da modalidade de depletion é preferivelmente um MOSFET ou um JFET.
