A method for converting an original integrated circuit (IC) design to an updated IC design for an updated manufacturing process includes accessing a mask database for the original IC design and manipulating the data by various scaling steps and other modifications. The original IC design may include contacts so the method includes the steps of performing a first downward size scaling on the mask data to scale down the original IC design, and selectively performing a second downward size scaling on the mask data to further scale down the contacts. The step of selectively performing the second downward size scaling may preferably include the steps of displaying and viewing an image of the IC design to aid in selection. The vias of the IC design may also be scaled downward. The method may also further include the step of selectively performing a downward size scaling on the mask data in at least one dimension to further scale down a size of the polysilicon gates. The method may further include the steps of selectively performing an upward size scaling on the mask data to scale up the power supply rails, and selectively performing an upward size scaling on the mask data to scale up the bond pads. The original test and alignment structures are preferably replaced by new test structures and alignment keys for the updated process, and new ESD protection may be substituted for the original ESD protection.

Een methode om een origineel (IC) ontwerp van geïntegreerde schakelingen in een bijgewerkt IC ontwerp voor een bijgewerkt productieproces om te zetten omvat de toegang tot van een maskergegevensbestand voor het originele IC ontwerp en het manipuleren van de gegevens door diverse het schrapen stappen en andere wijzigingen. Het originele IC ontwerp kan contacten omvatten zodat omvat de methode de stappen van het uitvoeren van het eerste benedenwaartse grootte schrapen op de maskergegevens om het originele IC ontwerp te verlagen, en selectief het uitvoeren van het tweede benedenwaartse grootte schrapen op de maskergegevens om verder de contacten te verlagen. De stap van selectief het uitvoeren van het tweede benedenwaartse grootte schrapen kan de stappen van het tonen en het bekijken van een beeld van het IC ontwerp aan hulp in selectie bij voorkeur omvatten. Vias van het IC ontwerp kunnen ook naar beneden worden geschraapt. De methode kan de stap van selectief het uitvoeren van het benedenwaartse grootte schrapen op de maskergegevens in minstens één afmeting verder ook omvatten om een grootte van de polysilicon poorten verder te verlagen. De methode kan de stappen verder omvatten van selectief het uitvoeren van een stijgende grootte die op de maskergegevens aan schaal de sporen van de machtslevering verhoogt, en selectief een stijgende grootte uitvoert verhogend over de maskergegevens aan schaal de bandstootkussens. De originele test en groeperingsstructuren worden bij voorkeur vervangen door nieuwe teststructuren en groeperingssleutels voor het bijgewerkte proces, en de nieuwe ESD bescherming kan voor de originele ESD bescherming worden gesubstitueerd.